M. CHABANE Rayene

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Departement of ELECTRONICS

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Specialized in Departement of ELECTRONICS. Focused on academic and scientific development.

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University of M'Sila, Algeria

Email : rayene.chabane@univ-msila.dz

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Recent Publications

2011

OES Diagnostics of HMDSO/O2/CF4 Microwave Plasma for SiOCxFy Films Deposition

SiOF like films have been elaborated in microwave excited DECR plasma reactor (Distributed Electron Cyclotron Resonance) from a mixture of oxygen-hexamethyldisiloxane (HMDSO/O2) and CF4. The fluorine contents in the precursor mixture were adjusted by varying the CF4 gas flow ratio in the range of 10%-70%. Optical emission spectroscopy (OES) and Fourier transform infrared (FTIR) have been used for the plasma diagnostic and the deposited films structure analysis, respectively. Actinometric technique was used to find trends in the concentrations of species present in the plasma. A large number of species have been detected, such as F, Si, O, C and H. Depending on the gas mixture composition, FTIR spectra revealed the presence of several chemical bonds such as Si-F and Si-O.
Citation

M. CHABANE Rayene, (2011), "OES Diagnostics of HMDSO/O2/CF4 Microwave Plasma for SiOCxFy Films Deposition", [national] ADVANCED MATERIALS , Wiley-Blackwell

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2009

Characterization of SiOF thin films deposited by PECVD from Hexamethyldisiloxane in mixture with oxygen and CF4

Thin SiOF films were elaborated in microwave excited DECR plasma reactor (Distributed Electron Cyclotron Resonance) from a mixture of hexamethyldisiloxane (HMDSO) and oxygen (O2)(in 1: 9 proportion) with the presence of various CF4 concentrations. The fluorine contents in the films composition were adjusted by the CF4 gas flow ratio (in the range of 10-70%). The refractive index and the deposition rate were estimated from ellipsometric data and the film chemical structure was studied by FTIR analysis technique. The deposition rate increases with increasing CF4 flow and then decreases after reaching a maximum value for 20% of CF4. The decrease in the deposition rate may be attributed to the etching effect by CF4 plasma during the deposition process. As the additive fluorine concentration increases, the intensity of Si–F peak stretching vibrations located at 930 cm-1 increases and the frequency of the Si …
Citation

M. CHABANE Rayene, (2009), "Characterization of SiOF thin films deposited by PECVD from Hexamethyldisiloxane in mixture with oxygen and CF4", [national] Materials Science Forum , Trans Tech Publications

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2007

Influences des Paramètres de la Décharge Plasma sur les Propriétés Electriques de Films Minces de Types SiOx Déposés à Partir du Mélange HMDSO/O2

L'étude de l'effet la polarisation du substrat et de
la puissance de décharge plasma sur l'évolution des
propriétés électriques de couches minces déposées par
plasma PECVD à partir de molécules
d'hexamethyldisiloxane diluées dans un pourcentage
élevé d'oxygène (90%), a été menée. Les mesures
diélectriques ont révélé que lorsque la polarisation du
substrat a été fixée à –10 V, la permittivité enregistrée
pour les différentes valeurs de la puissance plasma
micro-onde explorées, présente une valeur stable et
proche de celle de l'oxyde de silicium thermique. Par
contre, si on polarise le substrat à –80 V, l'augmentation
de la puissance injectée influe d'une manière
remarquable en induisant une diminution de la valeur de
la permittivité. Une corrélation des propriétés électriques
et physico-chimiques de ces films a montré qu’un
processus de gravure du film se produisant au cours de
sa croissance et l'apparition de fissures et de
craquelures dans son volume peuvent être à l’origine de
la diminution de la constante diélectrique.
Citation

M. CHABANE Rayene, (2007), "Influences des Paramètres de la Décharge Plasma sur les Propriétés Electriques de Films Minces de Types SiOx Déposés à Partir du Mélange HMDSO/O2", [international] Physiques Applications , Tunisie

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2005

Effet de la polarisation du substrat sur les propriétés diélectriques de films de types SiOx déposés par plasma dans un réacteur RCER

L’étude de l’effet d’une polarisation de signe négative
du substrat sur les propriétés physico-chimiques et surtout
diélectriques de films minces déposés par plasma PECVD microonde
dans un réacteur RCER à partir de mélange HMDSO/O2 à
fort pourcentage d’oxygène, a été menée. Il a été révélé que
l’augmentation de la polarisation du substrat jusqu’à 50 Volts
induit une augmentation des valeurs de la permittivité et des
pertes diélectriques. Au-delà de 50 Volts, une chute significative
des valeurs de permittivité due principalement à un
bombardement énergétique du film en formation, a été
enregistrée. L’hypothèse d’un fort stress, après une densification
du film, provoqué par la forte valeur de la polarisation (80Volts)
a été retenue pour expliquer l’évolution des propriétés
diélectriques.
Citation

M. CHABANE Rayene, (2005), "Effet de la polarisation du substrat sur les propriétés diélectriques de films de types SiOx déposés par plasma dans un réacteur RCER", [international] 1st International Symposium on Electromagnetism, Satellites and Cryptography ISESC'05 , Jijel

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